Percée majeure dans la technologie de gravure 3 nm
L'industrie mondiale des semi-conducteurs a réalisé une percée majeure dans la technologie de gravure 3 nm : plusieurs fabricants de puces ont annoncé la production en série imminente de ce procédé. Par rapport au procédé 5 nm, le 3 nm améliore les performances de 30 % tout en réduisant la consommation de 35 %, avec une densité de transistors accrue d'environ 70 %.
La percée technologique repose principalement sur l'innovation de la structure des transistors : application mature de la technologie des transistors à grille enveloppante (GAA), utilisation de nouveaux matériaux et optimisation du procédé de fabrication. Ces avancées permettent d'intégrer davantage de transistors sur une même surface, offrant une puissance de calcul supérieure pour le calcul haute performance et les applications d'IA.
Les experts du secteur estiment que cette percée en 3 nm dynamisera l'ensemble de l'industrie électronique. Les performances des smartphones, des centres de données et de la conduite autonome seront nettement améliorées. D'ici 2025, les puces 3 nm devraient occuper une part importante du marché des puces haut de gamme.
Parallèlement, la recherche sur le procédé 2 nm s'accélère. Les grands fabricants de puces augmentent leurs investissements en R&D pour prendre l'avantage sur la prochaine génération de procédés.